1) 特征： 主要适用于小面积局部曝光
2) Resolution : Min 5微米
| 技术规格 | ||
|---|---|---|
| 光源 | UV Lamp (Peak 365nm) | |
| 有效区域 | Max Φ100 mm | |
| 典型辐照度 | Peak Intensity (mW/Cm²) | |
| 工作距离 ( @395nm ) |
120mm | ≥ 100 |
| 均匀性 | ± 4% | |
1) 特征： 主要适用于大面积光刻机
2) Resolution : 20 ~ 6 微米 (曝光方式: Proximity)
3) 用途 : LCD, TSP, PDP, PCB
1) 特征： 主要适用于小面积高清晰度光刻机的光学系统。在大面积上以Stepper的形式适用。
2) Resolution : 20 ~ 3 微米 (曝光方式 : Proximity) , ~ 0.5 微米 (曝光方式: Vacuum Hard Contact)
3) 用途 : TSP, 半导体
1) 特征： 用于可进行Hard contact的超大面积高清晰度光刻机的光学系统。
使用UVLED。每个UVLED Chip都使用投影镜头，C/A(光扩散角)最小可达到2o。
2) 用途 : PCB曝光，电子黑板
| 技术规格 | |
|---|---|
| 波长 | 365/385/395/405nm |
| C/A (光扩散半角) | Min : 2 Degree |
| 扫描均匀度 | ≤ ±5% |
* 光照度和活动区域可根据要求变更。
1) 特征： 用于可进行Hard contact的超大面积高清晰度光刻机的光学系统。
使用UVLED。每个UVLED Chip都使用投影镜头，C/A(光扩散角)最小可达到2o。
2) 用途 : PCB曝光，用于其他制作微细图案的曝光工程
| 技术规格 | |
|---|---|
| 波长 | 365/385/395/405nm |
| C/A (光扩散半角) | Min : 2 Degree |
| 扫描均匀度 | ≤ ±5% |
| Beam Area | 60x640 mm |
| 可制作的长度 | 按照客户要求 |
* 光照度和活动区域可根据要求变更。
